O transistor foi inventado nos Laboratórios da Beel Telephone em dezembro de 1947 (e não em 1948 como é freqüentemente dito) por Bardeen e Brattain.
Descoberto por assim dizer, (visto que eles estavam procurando um dispositivo de estado sólido equivalente à válvula eletrônica), acidentalmente durante os estudos de superfícies em torno de um diodo de ponto de contato.
Os transistores eram portanto do tipo "point-contact", e existe evidência que Shockley, o teorista que chefiava as pesquisas estava chateado porque esse dispositivo não era o que estava procurando. Na época, êle estava procurando um amplificador semicondutor similar ao que hoje chamamos de "junção FET".
O nome transistor foi derivado de suas propriedades intrínsecas "resistor de transferência", em inglês: (TRANsfer reSISTOR). Os Laboratórios Bell mantiveram essa descoberta em segredo até junho de 1948 (daí a confusão com as datas de descobrimento).
Com uma estrodosa publicidade, eles anunciaram ao público suas descobertas, porem poucas pessoas se deram conta do significado e importancia dessa publicação, apesar de ter saido nas primeiras páginas dos jornais.
Embora fosse uma realização científica formidável, o transistor não alcançou, de imediato, a supremacia comercial. As dificuldades de fabricação somadas ao alto preço do germânio, um elemento raro, mantinham o preço muito alto. Os melhores transistores custavam 8 dólares numa época em que o preço de uma válvula era de apenas 75 cents.
Shochley ignorou o transistor de ponto de contato e continuou suas pesquisas em outras direções. Ele reorientou suas idéias e desenvolveu a teoria do "transistor de junção".
Em julho de 1951, a Bell anuncia a criação desse dispositivo. Em setembro de 1951 eles promovem um simpósio e se dispõem a licenciar a nova tecnologia de ambos os tipos de transistores a qualquer empresa que estivesse disposta a pagar $25.000,00.
Este foi o início da indústrialização do transistor.
Muitas firmas retiraram o edital de licença. Antigos fabricantes de válvulas eletrônicas, tais como RCA, Raytheon, GE e industrias expoentes no mercado como Texas e Transitron.
Muitas iniciaram a produção de transistor de ponto de contato, que nessa época, funcionava melhor em alta frequência do que os tipos de juncão. No entanto, o transistor de junção torna-se rapidamente, muito superior em performance e é mais simples e fácil de se fabricar.
O transistor de ponto de contato ficou obsoleto por volta de 1953 na América e logo depois, na Inglaterra.
Somente alguns milhares foram fabricados entre 120 tipos, muitos americanos (não incluindo nestes números, versões experimentais).
O primeiro transistor de junção fabricado comercialmente era primitivo em comparação aos modernos dispositivos, com uma tensão máxima entre coletor-emissor de 6 volts, e uma corrente máxima de poucos miliamperes.
Particularmente notável, foi o transistor CK722 da Raytheon de 1953, o primeiro dispositivo eletrônico de estádo sólido produzido em massa disponível ao construtor amador. Vários tipos de transistor foram desenvolvidos, aumentando a resposta de freqüência diminuindo os níveis de ruido e aumentando sua capacidade de potência.
Na Inglaterra, duas empresas mantiveram laboratórios de pesquisa não tão adiantadas quanto na américa: Standard Telephones and Cables (STC) e a General Electric Company of England "GEC", (não tem telação com a GE americana).
Foram feitas pesquisas na França e Alemanha sem efeitos comerciais.
Em 1950, um tubarão entra nessa pequena lagoa: a PHILIPS holandesa através da Mullard, sua subsidiaria inglesa, com uma planta completa para industrializar o transistor.
A meta da Philips era dominar 95% do mercado europeu, alcançando esse objetivo em poucos anos. A série "OC" de transistor dominou a europa por mais de 20 anos.
Os antigos transistores eram feitos de germânio, um semicondutor metálico, porem logo se descobriu que o silício oferecia uma série de vantagens sobre o germânio. O silício era mais difícil de refinar devido ao seu alto ponto de fusão, porem em 1955 o primeiro transistor de silício já era comercializado.
A Texas Instruments foi uma das empresas que mais tomou parte no desenvolvimento inicial dessa tecnologia, lançando uma série de dispositivos conhecidos na época pelas siglas "900" e "2S".
A grande reviravolta veio em 1954, quando Gordon Teal aperfeiçoou um transistor de junção feito de silício.
O silício, ao contrário do germânio, é um mineral abundante, só perdendo em disponibilidade para o oxigênio. Tal fato, somado ao aperfeiçoamento das técnicas de produção, baixou consideravelmente o preço do transístor. Isto permitiu que ele se popularizasse e viesse a causar uma verdadeira revolução na indústria dos computadores. Revolução tal que só se repetiria com a criação e aperfeiçoamento dos circuitos integrados.
Principais inovações no campo dos Semicondutores
INOVAÇÃO LABORATÓRIO ANO
TRANSISTOR PONTO DE CONTATO Bell Labs-Western Electric 1947
CULTIVO EM CRISTAL SIMPLES Western Electric 1950
ZONA REFINADA Western Electric 1950
TRANSISTOR DE JUNÇÃO CULTIVADA Western Electric 1951
TRANSISTOR DE SILICIO Texas Instruments 1954
MASCARA DE ÓXIDO E DIFUSÃO Western Electric 1955
TRANSISTOR PLANAR Fairchild 1960
CIRCUITO INTEGRADO Texas Instruments, Fairchild 1961
DIODO GUNN IBM 1963
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Abraço!!!
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